Автор [RU] [EN] [JA] [DE] [ES] [FR] [IT] [AR] Тема: Олег Лосев и транзистор  (Прочитано 87 раз)

0 Пользователей и 1 Гость просматривают эту тему.

Оффлайн RN4HGK

  • Сообщений: 324
  • Активность:
    100%
  • Страна: ru
  • Лайков: 391
  • Рейтинг: 36
  • Позывной: RN4HGK Анатолий
  • Адрес: Тольятти
  • QTH: LO43qm
Олег Лосев и транзистор
« : 27.11.17, 02:52:17 »

Схема для наблюдения изменения проводимости активного слоя.
На кристалле карбида кремния размещены 4 электрода.
Свечение II: электропроводность карборунда и униполярная проводимость детекторов //
Вестник электротехники. — 1931. — № 8. — С. 247-255.

В 1929 — 1933 гг., в ЛФТИ, Олег Владимирович Лосев (10 мая 1903 — 22 января 1942) под руководством А. Ф. Иоффе провёл ряд экспериментов с полупроводниковым устройством, конструктивно повторяющим точечный транзистор на кристалле карборунда (SiC), однако достаточного коэффициента усиления получить не удалось. Изучая явления электролюминесценции в полупроводниках, Лосев исследовал около 90 различных материалов, особенно выделяя кремний, и в 1939 году он вновь упоминает о работах над трёхэлектродными системами в своих записях, но начавшаяся война и гибель инженера в блокадном Ленинграде зимой 1942 года привели к тому, что некоторые его работы оказались утеряны и сейчас неизвестно, насколько далеко он продвинулся в создании транзистора.

 

* Календарь

Во По Вт Ср Че Пя Су
1 2
3 4 5 6 7 8 9
10 11 12 13 14 15 16
17 18 19 20 21 22 23
24 25 26 27 28 29 30
31
С Днём рождения!
13 Дек.: Василий UA3RLE (59)

* ОДР в соцсетях



Яндекс.Метрика Рейтинг@Mail.ru